特許
J-GLOBAL ID：201103038380397901

炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法

発明者：
小古井 久雄

小古井 久雄 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-049627
公開番号（公開出願番号）：特開2011-184224
出願日： 2010年03月05日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】台座10上に炭化珪素種結晶13を固定する方法であって、前記台座10の種結晶側表面10aを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座10の種結晶側表面10a及び前記炭化珪素種結晶13の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座10の種結晶側表面10aと前記炭化珪素種結晶13の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
台座上に炭化珪素種結晶を固定する方法であって、 前記台座の種結晶側表面を鏡面研磨する工程と、 真空中で前記台座の種結晶側表面及び前記炭化珪素種結晶の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、 真空中で前記台座の種結晶側表面と前記炭化珪素種結晶の台座側表面とを密着させて加圧することにより直接接合する工程と、 を備えることを特徴とする炭化珪素種結晶の固定方法。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM