オーミック電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：古部次郎 , 千田武
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053025
特許番号：特許第4572430号
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 p型AlxGa1-xAs(x=0〜0.5)上に、AuSb合金膜を蒸着する工程と、前記AuSb合金膜上に、AuZn合金膜を蒸着する工程と、所定温度で熱処理することで、前記p型AlxGa1-xAs(x=0〜0.5)とオーミック接触するp型電極を形成すると共に、n型AlxGa1-xAs(x=0〜0.5)とオーミック接触する主成分がAuGeであるn型電極を形成する工程と、を含むことを特徴とするオーミック電極の形成方法。

IPC (2件)：