特許
J-GLOBAL ID：201103038958773430
III族窒化物半導体の電極形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 晴康
, 小池 隆彌
, 木下 雅晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270989
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148534
特許番号：特許第4627850号
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 p型III族窒化物半導体の表面に接するPdからなる接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記p型III族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、
前記p型III族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストの表面および前記p型III族窒化物半導体の表面を覆うように、SiO2からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜を形成する工程の後に、前記誘電体膜の表面上にMoを含む積層金属層を形成する工程と、
前記フォトレジスト上の前記誘電体膜の一部を前記フォトレジストのリフトオフにより前記フォトレジストとともに除去することによって前記p型III族窒化物半導体の表面を露出させる工程と、
前記p型III族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、
前記p型III族窒化物半導体の表面を露出させる工程において、前記積層金属層の一部が前記誘電体膜とともに除去され、
前記p型III族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所が、前記誘電体膜に接することなく前記電極を形成することを特徴とするIII族窒化物半導体の電極形成方法。
IPC (2件)：
H01S 5/042 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
H01S 5/042 610
, H01L 21/306 D
