半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：角田芳末 , 磯山弘信 , 松隈秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052754
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261237
特許番号：特許第4644953号
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】薄膜抵抗素子を有して成る半導体装置を製造する方法であって、シリコンサーメット材料から成る抵抗膜を成膜する工程と、上記抵抗膜を形成する工程と同一の装置内で、連続して上記抵抗膜上に絶縁性保護膜を成膜する工程と、上記抵抗膜及び上記絶縁性保護膜を一括してパターニングして、上記抵抗膜及び上記絶縁性保護膜の積層膜から成る上記薄膜抵抗素子を形成する工程と、上記薄膜抵抗素子を覆って絶縁層を形成する工程とを有し、上記シリコンサーメット材料は、シリコン及び1種類以上の金属元素に、酸素、窒素、炭素から選ばれる少なくとも1種類の元素を含む組成から成る半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 21/8248 ( 200 6.01) , H01L 21/8222 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 21/8249 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 P , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 102 A , H01L 27/06 321 A

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-003333
特開平3-008368
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084266 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平3-003333
特開平3-008368
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084266 出願人：ソニー株式会社

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