半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-030260
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171736
出願日： 2011年02月15日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、(A)ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、(B)ビニル基を含み-Si-O-を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、(C)当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、ビニル基を含み-Si-O-を含む構造を備える化学物質を、前記ポーラス絶縁層の表面上あるいは前記ポーラス絶縁層中に導入する工程と、前記化学物質の重合を行うことにより、前記ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層を前記トレンチの表面上に形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 21/312

FI (3件)：

H01L21/90 N , H01L21/90 A , H01L21/312 C

Fターム (51件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH35 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ35 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS26 , 5F033TT00 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AE05 , 5F058AF01 , 5F058AF02 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AG09 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058AH07

引用特許：

審査官引用 (5件)

多層配線の製造方法および多層配線
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-163630 出願人：松下電器産業株式会社
金属間誘電体として用いられる低K及び超低Kの有機シリケート膜の疎水性の回復
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-538874 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-103809 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る