特許
J-GLOBAL ID：201103041129416973

露光用マスクパターンの検査方法

発明者：
田中 聡

田中 聡 について

, 
井上 壮一

井上 壮一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129246
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328462
特許番号：特許第4266082号
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体装置を製造するための露光装置に用いる露光用マスクパターンの検査方法において、前記露光装置の露光波長と実質的に同一の検査波長を使用し、露光装置の投影光学系の開口数より大なる開口数を有する検査装置の検出光学系を用いて前記露光用マスクパターンの画像データを作成するステップと、得られた前記露光用マスクパターンの画像データから、前記検出光学系の情報を基に前記露光用マスクパターンより得られる回折光分布の露光時の結像に寄与する成分を求めるステップと、得られた前記回折光分布の露光時の結像に寄与する成分から、前記露光装置光学系での転写シミュレーションを用いてウェハ上に得られる像強度分布を求めるステップと、得られた前記像強度分布を基に前記画像データと比較して検査の合否判定を行うステップとを備えたことを特徴とする露光用マスクパターンの検査方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G03F 1/08 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 502 Z
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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