特許

J-GLOBAL ID：201103041191976560

半導体装置およびその作製方法

発明者： 宮永 昭治 ,  坂田 淳一郎 ,  坂倉 真之 ,  高橋 正弘 ,  岸田 英幸 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-224475
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100982
出願日： 2010年10月04日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】薄膜トランジスタが、絶縁表面上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と重なっており、なおかつ、酸化物半導体が有する一または複数の金属の濃度が、他の領域よりも高い層を含む酸化物半導体膜と、層に接するように酸化物半導体膜上に形成された一対の金属酸化膜と、該金属酸化膜に接するソース電極またはドレイン電極とを有する。そして、金属酸化膜は、ソース電極またはドレイン電極に含まれる金属が酸化することで形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上において前記ゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上の一対の金属酸化膜と、 前記一対の金属酸化膜上のソース電極またはドレイン電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜を構成する一または複数の金属の濃度が、前記酸化物半導体膜内の他の領域よりも高い層を、前記金属酸化膜側に有し、 前記金属酸化膜は、前記ソース電極またはドレイン電極に含まれる金属が酸化することで形成されている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B

Fターム (80件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-034171   出願人：三星電子株式会社
• エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-328204   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-209859   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-296984   出願人：住友化学株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-046034   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所