特許
J-GLOBAL ID:201103041582938700

水素生成方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 花村 太
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-515153
公開番号(公開出願番号):特表2011-526237
出願日: 2009年06月10日
公開日(公表日): 2011年10月06日
要約:
炭素含有装入原料(1)を水蒸気(2)と共に筒状反応室(Z)へ軸方向に導入することにより装入原料を水蒸気改質によって転化し、生成された水素(4)を少なくとも一部の区画が水素選択透過性とされた仕切壁(T)を通して反応室から連続的に導出し、反応室(Z)内の圧力よりも低圧で且つ外部圧力よりも高圧の状態で純度の高められた水素製品流(5)を取り出す水素生成方法及び装置。水素選択透過性の複数の区画を、各区画のそれぞれ全面に亘って反応室(Z)側と水素導出側(W)との間で水素分圧勾配が生じるように配置した仕切壁(T)を用いる。
請求項(抜粋):
炭素を含有する装入原料を水蒸気と共に筒状の反応室へ軸方向に導入することにより該装入原料を水蒸気改質によって転化し、この水蒸気改質で生成された水素を、少なくとも一部の区画が水素選択透過性とされた仕切壁を通して前記反応室から連続的に導出することにより、前記反応室内の圧力よりも低圧で且つ外部圧力よりも高圧の状態で純度の高められた水素製品流を取り出すに際し、前記仕切壁として、水素選択透過性の複数の区画を、各区画のそれぞれ全面に亘って反応室側と水素導出側との間で水素分圧勾配が生じるように配置した仕切壁を用いることを特徴とする水素生成方法。
IPC (2件):
C01B 3/38 ,  C01B 3/56
FI (2件):
C01B3/38 ,  C01B3/56 Z
Fターム (9件):
4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB16 ,  4G140EB37 ,  4G140EB46 ,  4G140FA02 ,  4G140FB04 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01
引用特許:
審査官引用 (10件)
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引用文献:
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