半導体基材の状態測定方法及び状態測定装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-128021
公開番号（公開出願番号）：特開2011-254007
出願日： 2010年06月03日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置10では、チャンバ11にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源16によって高周波コイル15に電圧が印加されることにより、チャンバ11内にプラズマが発生する。チャンバ11内には、半導体基材Aを保持する基材ホルダー電極20と、基材ホルダー電極20に対応して配置される陰極21とが設けられる。陰極21には、高圧パルス電源22により負電圧が印加される。分光計23は、半導体基材Aの発光態様を測定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ発生手段によってチャンバ内にプラズマを発生させ、前記チャンバ内に配置された陰極に負電圧を印加し、前記チャンバ内に配置された基材ホルダー電極により保持された半導体基材における前記陰極から発生する電子の衝突による発光態様に基づいて、前記半導体基材の結晶状態を測定することを特徴とする半導体基材の状態測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/302 103 , H01L21/302 101C , H01L21/205

Fターム (15件)：

5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BD04 , 5F004CA03 , 5F004CB02 , 5F045AA08 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F045GB10

引用特許：

審査官引用 (4件)

ドライエッチング装置及び該装置を用いたドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-036223 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-054824
特開平2-181913

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