特許
J-GLOBAL ID：201103042421642085
スパッタリングターゲット材の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
横井 健至
, 横井 知理
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-081434
公開番号（公開出願番号）：特開2011-214039
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の8A族の4周期の元素のFe、Co、Niの1つ以上から、または8A族の4周期の元素のFe、Co、Niを主成分とし、これとAl、Ag、Au、B、C、Ce、Cr、Co、Cu、Ga、Ge、Dy、Fe、Gd、Hf、In、La、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Ru、Si、Sm、Sn、Ta、Ti、V、W、Y、ZnおよびZrの元素群から選択した少なくとも1つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から500〜900°Cに加熱し、次いで後冷却速度2160〜540000°C/hrで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
鋳造法または粉末冶金法で作製したスパッタリングターゲット材であって、周期律表の8A族の4周期の元素のFe、Co、Niからなる元素群より選択した少なくとも1つの元素で構成される粉末原料を用いて、あるいは8A族の4周期の元素のFe、Co、Niからなる元素群より選択した少なくとも1つの元素で、その合計が60at.%以上である元素を主成分とし、残部がAl、Ag、Au、B、C、Ce、Cr、Cu、Ga、Ge、Dy、Gd、Hf、In、La、Mn、Mo、Nb、Nd、P、Pd、Pt、Ru、Si、Sm、Sn、Ta、Ti、V、W、Y、ZnおよびZrから成る元素群より選択した少なくとも1つの元素および不可避的不純物で構成される粉末原料を用いて、固化成形したスパッタリングターゲット材の製造方法として、これらの組成の粉末を鋳造後、あるいは粉末を熱間で成形し冷却後に、機械加工により所定のスパッタリングターゲット材寸法に加工し、さらに室温から500〜900°Cの温度まで加熱し、その後2160〜540000°C/hrの冷却速度で上記の加熱温度から室温に冷却することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用のスパッタリングターゲット材の製造方法。
IPC (8件)：
C23C 14/34
, C22C 19/03
, C22C 19/07
, C22C 38/00
, C22C 1/04
, C22C 33/02
, B22F 3/15
, B22F 3/24
C23C14/34 A
, C22C19/03 D
, C22C19/07 C
, C22C38/00 303S
, C22C38/00 304
, C22C1/04 B
, C22C33/02 L
, B22F3/15 M
, B22F3/24 C
, B22F3/24 B
4K018AA07
, 4K018AA10
, 4K018AA24
, 4K018EA15
, 4K018FA08
, 4K018KA29
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC09
