特許
J-GLOBAL ID：201103042820685499
半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277452
特許番号：特許第4016525号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】レーザー光を導入する窓が設けられ内部が減圧されるチャンバー内に、シリコンで構成された半導体膜を有する基板を収容し、前記チャンバー内に収容した前記基板を加熱しつつ前記窓を冷却した状態で、前記チャンバー内に水素プラズマを発生させながら、前記半導体膜に、前記窓を介して前記レーザー光を照射する工程を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 21/268 G
, H01L 21/20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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