特許
J-GLOBAL ID:201103042954835292

半導体発光装置とこれを用いた光源装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-543244
公開番号(公開出願番号):特表2011-519149
出願日: 2009年06月02日
公開日(公表日): 2011年06月30日
要約:
固体発光素子と、当該固体発光素子が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体とを備え、前記波長変換体は、ガーネット結晶構造を有する蛍光体を含んだ透光性の波長変換層を備える無機成形体であり、前記蛍光体は、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd、Tb、Luから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでなる構成元素群を含み、前記構成元素群の一部がCe3+で置換されており、その置換量が前記構成元素群に対して1原子%以下である構成とすることで、高出力と高信頼性を兼ね備え、オーソドックスな実用技術の応用で製造でき、点光源用として適した半導体発光装置とする。【選択図】図12
請求項(抜粋):
固体発光素子と、当該固体発光素子が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体とを備え、 前記波長変換体は、ガーネット結晶構造を有する蛍光体を含んだ透光性の波長変換層を備える無機成形体であり、 前記蛍光体は、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd、Tb、Luから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでなる構成元素群を含み、前記構成元素群の一部がCe3+で置換されており、その置換量が前記構成元素群に対して0.01原子%以上1原子%以下である ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件):
H01L 33/50 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/12
FI (4件):
H01L33/00 410 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/12 E
Fターム (34件):
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB02 ,  3K107BB08 ,  3K107CC02 ,  3K107CC05 ,  3K107CC24 ,  3K107CC33 ,  3K107CC43 ,  3K107EE24 ,  3K107EE25 ,  3K107EE62 ,  3K107FF06 ,  3K107FF13 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA47 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (6件)
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