特許

J-GLOBAL ID：201103043451282527

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  加藤 清
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-005456
公開番号（公開出願番号）：特開2011-166131
出願日： 2011年01月14日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】ソース線と、ビット線と、第1の信号線と、第2の信号線と、ワード線と、ソース線とビット線との間に、接続されたメモリセルと、ビット線と電気的に接続された第1の駆動回路と、第1の信号線と電気的に接続された第2の駆動回路と、第2の信号線と電気的に接続された第3の駆動回路と、ワード線及びソース線と電気的に接続された第4の駆動回路と、を有し、第1のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成され、第2のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ソース線と、 ビット線と、 第1の信号線と、 第2の信号線と、 ワード線と、 前記ソース線と前記ビット線との間に、接続されたメモリセルと、 前記ビット線と電気的に接続された第1の駆動回路と、 前記第1の信号線と電気的に接続された第2の駆動回路と、 前記第2の信号線と電気的に接続された第3の駆動回路と、 前記ワード線及び前記ソース線と電気的に接続された第4の駆動回路と、 を有し、 前記メモリセルは、 第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、 第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、 容量素子と、 を有し、 前記第1のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成され、 前記第2のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成され、 前記第1のゲート電極と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、 前記ソース線と、前記第1のソース電極とは、電気的に接続され、 前記ビット線と、前記第1のドレイン電極とは、電気的に接続され、 前記第1の信号線と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、 前記第2の信号線と、前記第2のゲート電極とは、電気的に接続され、 前記ワード線と、前記容量素子の電極の他方とは、電気的に接続された半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/405

FI (6件)：

H01L27/10 321 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C11/34 352B

Fターム (140件)：

5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB03 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA94 ,  5M024BB02 ,  5M024BB12 ,  5M024BB13 ,  5M024CC02 ,  5M024CC22 ,  5M024CC93 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323043   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-215800   出願人：ソニー株式会社
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-221552   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平1-137491
  
• 特開昭62-230043
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-285069   出願人：ソニー株式会社
• 酸化物半導体及びこれを含む薄膜トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-511515   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 透明酸化物半導体とデバイスへの展開