特許
J-GLOBAL ID：201103043844318205
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248029
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077470
特許番号：特許第4544665号
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、n型層と、AlxGa1-x-yInyN層(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1,x=0のときy≠0,y=0のときx≠0)から成るp型または高抵抗の電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、前記n型層の上に形成された量子井戸活性層を備えた半導体レーザであって、
前記n型層が、前記基板より上層に、前記基板側から順番に、n型GaNコンタクト層と、第1のn型AlGaNクラッド層と、n型GaN光ガイド層を備えて構成され、
前記電流狭窄層が、前記n型GaNコンタクト層と前記第1のn型AlGaNクラッド層の間に設けられ、
前記開口部内において、前記第1のn型AlGaNクラッド層が前記n型GaNコンタクト層の上に形成され、
前記電流狭窄層を構成するAlxGa1-x-yInyN層の組成比x及びyが、前記電流狭窄層が発振波長の光を吸収し、且つ、前記電流狭窄層の屈折率がGaNの屈折率より小さくなるように設定されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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