不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125828
公開番号（公開出願番号）：特開平10-320983
特許番号：特許第3887064号
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電気的にフローティングな状態とされた電荷蓄積層と制御ゲートを有する2層ゲート構造のMOSトランジスタからなり、データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加により記憶されたデータを読み出す不揮発性半導体記憶装置において、前記読み出し電圧を発生するために、前記メモリセルを成すMOSトランジスタとは異なる単層ゲート構造で、温度によるしきい値電圧の変化の割合が前記メモリセルを成すMOSトランジスタのそれの50〜150%にある電圧発生用のMOSトランジスタを用い、該電圧発生用MOSトランジスタのしきい値電圧と温度による変化の割合が前記メモリセルを成すMOSトランジスタのそれの-20%〜20%にある電圧とを加算する手段を設けてなり、前記電圧発生用MOSトランジスタは、ゲートとドレインが共通接続されると共に負荷抵抗を介して電源端に接続され、ソースに温度による変化の割合が前記メモリセルを成すMOSトランジスタのそれの-20%〜20%にある電圧が印加されるものであり、該MOSトランジスタがオン状態の時にドレインに現れる出力電圧を読み出し電圧として取り出すものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ( 200 6.01) , G11C 16/02 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 17/00 632 C , G11C 17/00 633 B , G11C 17/00 633 C , G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-299940 出願人：株式会社東芝
電圧設定回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-171038 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196392 出願人：日本電気株式会社

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