特許
J-GLOBAL ID：201103044215407544
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026155
特許番号：特許第4698001号
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ソース及びドレイン間に在って情報の書き込み及び消去を行う際に作用しチャネル・ドーピングが施された第一のチャネル部分と、
該第一のチャネル部分を覆い且つキャリヤが直接トンネリング可能な厚さをもつ第一のトンネル絶縁膜と、
ソース及びドレイン間に在って情報の読み出しを行う際に作用し該第一のチャネル部分に比較して低濃度にドーピングが施された第二のチャネル部分と、
該第二のチャネル部分を覆い且つ該第一のトンネル絶縁膜に比較して厚い第二のトンネル絶縁膜と、
該第一及び第二のトンネル絶縁膜上に形成されたフローティング・ゲートと、
該フローティング・ゲート上にコントロール・ゲート絶縁膜を介して形成されたコントロール・ゲートとを備え、
前記第一のチャネル部分および前記第二のチャネル部分はチャネル幅方向に並び、前記第一のチャネル部分および前記第二のチャネル部分は前記ソースから前記ドレインにかけて連続して延在するとともに、前記第一のチャネル部分は、前記第二のチャネル部分よりもしきい値が高い、半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
