特許
J-GLOBAL ID：201103044942790407

半導体装置

発明者：
久本 大

久本 大 について

, 
土屋 龍太

土屋 龍太 について

, 
伊藤 清男

伊藤 清男 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-158360
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014753
出願日： 2009年07月03日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】 従来の比例縮小側(係数α、α>1)を適用した平面型MOSTのしきい電圧のばらつきの標準偏差σ(VT)が、微細化とともに、すなわちαを大きくするとともに大きくなり、動作電圧が低くできないという問題がある。【解決手段】 フィンの高さをチャンネル長よりも高くしたFinFET構造によって上記の問題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されたシリコンの第1のフィンと前記第1のフィンの少なくとも側面に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するMOSトランジスタを具備し、 前記MOSトランジスタのチャンネル幅は、前記第1のフィンの高さ方向で決まるように前記第1のフィンの側面に形成され、 前記シリコン基板に平行な第1方向の前記第1のフィンの幅は、最下層の金属配線層の配線ピッチの半分より小さいことを特長とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (9件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 671C
Fターム (71件)：
5F038AC03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038CD04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD48 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA19 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F110AA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD22 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA02 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BC15 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG34 ,  5F140BJ05 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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