特許
J-GLOBAL ID：201103045264063962

半導体装置の製造方法

発明者：
前田 就彦

前田 就彦 について

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小林 直樹

小林 直樹 について

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藤原 直樹

藤原 直樹 について

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堀越 佳治

堀越 佳治 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342676
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142404
特許番号：特許第3841201号
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 GaAs単結晶を基板とするIII族窒化物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる、半導体装置の製造方法において、 RFプラズマソース分子線エピタキシャル法によって、前記基板のGaAs(001)面上に、In、Ga、As、Nの各原料元素を、InおよびGa、As、Nの順に交互に前記基板面上に供給して、InGaAsN単結晶薄膜を形成する第1過程と、 マイグレーションエンハンストエピタキシー法によって、前記InGaAsN単結晶薄膜の上に、III族元素およびNを交互に供給して、III族窒化物単結晶薄膜を形成する第2過程と、 分子線エピタキシャル法によって、前記III族窒化物単結晶薄膜の上に、III族窒化物半導体結晶を成長させる第3過程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/38 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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