特許

J-GLOBAL ID：201103045274949675

半導体装置

発明者： 青井 佐智子 ,  杉山 隆英 ,  斎藤 順
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-086148
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216825
出願日： 2010年04月02日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】 オン電圧と逆回復電荷量(Qrr)の双方が改善された半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置10の半導体層12には、ダイオード領域20とIGBT領域40が形成されている。ダイオード領域20の半導体層12には、ライフタイム制御領域39が形成されている。そのライフタイム制御領域39は、ダイオード領域20とIGBT領域40の境界からIGBT領域40の一部に侵入するように連続して伸びている。ライフタイム制御領域39の先端39aは、平面視したときに、IGBT領域40のボディ領域46の形成範囲に位置する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイオード領域とIGBT領域が形成されている半導体層を備える半導体装置であって、 前記ダイオード領域は、前記半導体層の表層部に形成されているp型のアノード領域と、前記半導体層の裏層部に形成されているn型のカソード領域を有しており、 前記IGBT領域は、前記半導体層の表層部に形成されているp型のボディ領域と、前記半導体層の裏層部に形成されているp型のコレクタ領域を有しており、 前記ダイオード領域の前記半導体層には、前記半導体層の水平方向に連続して伸びているライフタイム制御領域が形成されており、 前記ライフタイム制御領域が、前記ダイオード領域と前記IGBT領域の境界から前記IGBT領域の一部に侵入するように連続して伸びており、 前記ライフタイム制御領域の先端が、平面視したときに、前記IGBT領域の前記ボディ領域の形成範囲に位置する半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (7件)：

H01L29/78 658H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652R ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E

Fターム (10件)：

5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-024187   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-234872   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-135851   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-080183   出願人：株式会社デンソー
• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-176896   出願人：株式会社東芝