特許

J-GLOBAL ID：200903018710198995

半導体装置

発明者： 吉浦 康博 ,  井上 雅規
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135851
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283781
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】アノードの外周端部に電流が集中するのが抑制される半導体装置を提供する。【解決手段】n型の半導体基板1の一方の主表面の側には、ダイオードのアノード2として、p型拡散領域3が形成されている。そのアノード2を取り囲むように、p型拡散領域5からなるガードリング6が形成されている。他方の主表面の側には、カソードとして、n型超高濃度不純物層12とn型高濃度不純物層11が形成されている。カソードにおける、ガードリング6と対向するガードリング対向領域15に、カソード側p型拡散領域14が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイオードを備えた半導体装置であって、 互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主表面側に形成された第2導電型のアノードと、 前記アノードと距離を隔てられ、前記アノードを取り囲むように形成されたガードリングと、 前記半導体基板の前記第2主表面側に形成された第1導電型のカソードと、 前記カソードにおける前記ガードリングと対向する領域に形成された第2導電型のカソード側不純物領域と を備えた、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/91 J ,  H01L29/06 301G

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-350976   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055775   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-003842   出願人：サンケン電気株式会社
• ダイオード及び電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040918   出願人：株式会社日立製作所
• ショットキバリアを有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-174545   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055775   出願人：株式会社日立製作所