特許
J-GLOBAL ID：201103045281641791

半導体装置の製造方法

発明者：
小山 正人

小山 正人 について

, 
西山 彰

西山 彰 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384498
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188375
特許番号：特許第3768871号
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上にチタン、ジルコニウム、ハフニウムから選ばれる少なくとも一つの金属からなる金属薄膜を形成する工程と、 前記金属薄膜上に少なくともシリコンまたはシリコン・ゲルマニウム薄膜を形成する工程と、 前記薄膜中の少なくとも一部にボロンを添加する工程と、 前記金属薄膜の全てと、前記薄膜の一部を反応させnチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる金属珪化物層を形成する工程と、 前記金属珪化物層の一部をボロンと反応させpチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる金属ボロン化合物層を形成する工程とを具備し、前記金属ボロン化合物の自由エネルギーの絶対値が前記金属珪化物の自由エネルギーの絶対値よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/28 301 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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