特許
J-GLOBAL ID：201103046257907434
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小西 富雅
, 萩野 幹治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250985
特許番号：特許第4026294号
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】p型半導体層の上に透光性電極材料層を形成し、該透光性電極材料層の上に厚肉部材料層を形成し、該厚肉部材料層の上に当該厚肉部材料層より狭い径のp型台座電極材料層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/43 ( 200 6.01)
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/44 S
, H01L 29/46
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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