特許
J-GLOBAL ID：201103047054703813

強誘電体メモリ

発明者：
笠井 政範

笠井 政範 について


出願人/特許権者：
OKIセミコンダクタ株式会社

OKIセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109377
特許番号：特許第4659307号
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 マトリクス状に配置され、相補的二値化データを強誘電体キャパシタの分極状態として記憶する、複数のメモリセル対と、 同一列の前記メモリセル対にそれぞれ接続された、複数のビット線対と、 前記メモリセル対を列単位で電圧制御して、前記相補的二値化データに応じた電圧を前記ビット線対に出力させる、複数のワード線対及び複数のプレート線と、 前記ビット線対に出力された前記電圧を増幅するセンスアンプと、 不良メモリセルの選別時には、前記ビット線対のそれぞれのビット線に所定数のメモリセルを電気的に接続又は切断するために、該ビット線のそれぞれに設けられたスイッチトランジスタとを含む強誘電体メモリの不良メモリセルを選別するに当たり、 被選別メモリセルに接続されたビット線のキャパシタンスを増大させる工程を含むことを特徴とする不良メモリセルの選別方法。
IPC (2件)：
G11C 11/22 ( 200 6.01) ,  G11C 29/50 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G11C 11/22 501 F ,  G11C 11/22 501 P ,  G11C 29/00 671 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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