特許
J-GLOBAL ID：201103047082164464

メモリ・セル読み取り方法、メモリ・セル読み取り回路、および情報記憶デバイス

発明者：
フレデリック・エイ・パーナー

フレデリック・エイ・パーナー について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261181
公開番号（公開出願番号）：特開2002-140888
特許番号：特許第4092093号
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 等電位法を用いて、抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルの抵抗状態を読み取るメモリ・セル読み取り方法であって、 積分コンデンサを、当該積分コンデンサに接続された積分コンデンサ充電用スイッチを用いてVDD電圧まで充電するステップと、 前記積分コンデンサが出力端に接続され、選択されたメモリ・セルを交差する線が入力端に接続される直接注入電荷増幅器の入力電圧を、前記直接注入電荷増幅器の入力端と接続されたスイッチを用いてアレイ電圧までプル・アップするステップと、 前記入力電圧がアレイ電圧までプル・アップされた後に、前記積分コンデンサおよび直接注入電荷増幅器を用いて前記選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するステップと、 を含み、 前記抵抗状態を検知するステップは、検知電流を積分する前記積分コンデンサのコンデンサ積分時間から前記抵抗状態を判定することを特徴とするメモリ・セル読み取り方法。
IPC (1件)：
G11C 11/15 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G11C 11/15 150
引用特許：
審査官引用 (8件)
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