特許

J-GLOBAL ID：201103047543760480

ショットキーバリアダイオード

発明者： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  及川 三郎 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252478
特許番号：特許第3943749号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層、および高不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層とからなるSiC半導体基板と、 前記第1半導体層の主表面に第1のイオン注入エネルギーでイオン注入して形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的大きな第2導電型の複数の第1表面層と、 前記第1表面層相互間に前記第1のイオン注入エネルギーより小さな第2のイオン注入エネルギーでイオン注入して形成した、深さおよび相互間の間隔が前記第1表面層より小さな第2導電型の第2表面層と、 前記第1半導体層の主表面に接合し、前記第1表面層および第2表面層と低抵抗でオーム接触するショットキー金属と、 前記第2半導体層にオーム接触するカソード電極とからなるショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-137368
  
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158124   出願人：株式会社デンソー
• パワー半導体構成素子及びその作製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-501403   出願人：ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシャフト
• 半導体整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211576   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 特開平2-137368
  
• 特開平2-137368
  
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158124   出願人：株式会社デンソー