特許
J-GLOBAL ID:201103047739830192
窒化シリコン固体表面保護膜
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小森 久夫
, 小澤 壯夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-354605
公開番号(公開出願番号):特開2002-158226
特許番号:特許第3686582号
出願日: 2000年11月21日
公開日(公表日): 2002年05月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 固体表面上にプラズマ-CVD法によって保護膜として形成する少なくとも2層以上の積層した窒化シリコン膜において、 前記固体表面に接する窒化シリコン層と、前記保護膜の表面側の窒化シリコン層がそれぞれ異なる特性を有するように形成されており、 前記固体表面上に形成される保護膜が、3種の異なる特性を有する第1、第2、第3の窒化シリコン層を積層することにより形成されており、 それぞれの前記窒化シリコン層はプラズマ-CVD法により連続的に形成され、前記異なる特性が前記窒化シリコン層の屈折率であり、前記固体表面と接する第1の窒化シリコン層、中間層となる第2の窒化シリコン層、前記保護膜表面側の第3の窒化シリコン層が、それぞれ屈折率として、1.60〜1.80、1.80〜2.00、1.90〜2.20の値に設定されていることを特徴とする窒化シリコン固体表面保護膜。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/318 M
, H01L 21/318 B
, C23C 16/42
引用特許:
出願人引用 (8件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-097176
出願人:株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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特開昭64-050535
-
絶縁膜の構造とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-099991
出願人:日本電気株式会社
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審査官引用 (8件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-097176
出願人:株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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特開昭64-050535
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絶縁膜の構造とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-099991
出願人:日本電気株式会社
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