特許
J-GLOBAL ID：201103047802035926

発光素子及びその製造方法

発明者：
ムン,ヨンテ

ムン,ヨンテ について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 金高 寿裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-502849
公開番号（公開出願番号）：特表2011-518432
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
本発明は発光素子及びその製造方法に関する。本発明の発光素子は第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に発光層と、前記発光層上に保護層と、前記保護層上にナノ層と、前記ナノ層上に第2導電型半導体層と、を含む。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に発光層と、前記発光層上に保護層と、前記保護層上にナノ層と、前記ナノ層上に第2導電型半導体層と、を含む発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/10 ,  H01L 33/22 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L33/00 186 ,  H01L33/00 130 ,  H01L33/00 172 ,  H01L21/205
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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