特許
J-GLOBAL ID：200903012531503612
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-376315
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191071
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】(イ)基板上に第1半導体層(31)、活性層(32)、及び第2半導体層(33)を順次積層して形成する工程と、(ロ)第2半導体層(33)の表面の一部領域にインサイチュでマスク層(34)を蒸着する工程と、(ハ)第2半導体層(33)及びマスク層(34)上に半導体物質を蒸着し、第2半導体層(33)上に凹凸構造の第3半導体層(35)を選択的に成長させる工程と、を含む。【選択図】図3A
請求項（抜粋）：
半導体発光素子の製造方法であって、
(イ)基板上に第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を順次に積層して形成する工程と、
(ロ)前記第2半導体層の表面の一部領域にインサイチュでマスク層を蒸着する工程と、
(ハ)前記第2半導体層及び前記マスク層上に半導体物質を蒸着し、前記第2半導体層上に凹凸構造の第3半導体層を選択的に成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L21/318 B
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA77
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF06
, 5F058BF20
, 5F058BJ04
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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