III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 小池隆彌 , 木下雅晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399152
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261329
特許番号：特許第3706577号
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiC基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成し、かつ前記誘電体膜にその主面に垂直なエッチング面を形成する工程と、有機金属化学的気相成長法により前記SiC基板または前記III族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系半導体層を選択成長させる工程とを含み、前記誘電体膜と前記III族窒化物系化合物半導体層との界面に、発光素子の主面に垂直な反射ミラーを形成することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：