特許
J-GLOBAL ID:201103049055436200

圧電型三軸加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西浦 ▲嗣▼晴
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-309888
公開番号(公開出願番号):特開2001-124796
特許番号:特許第4275269号
出願日: 1999年10月29日
公開日(公表日): 2001年05月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 相互に直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の三軸の加速度をそれぞれ検出するための一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極と、X軸出力電極、Y軸出力電極及びZ軸出力電極とがX軸接続線、Y軸接続線及びZ軸接続線を介してそれぞれ電気的に接続された加速度検出電極パターンが表面上に形成され、裏面上に少なくとも前記一対のX軸加速度検出用電極、前記一対のY軸加速度検出用電極及び前記複数のZ軸加速度検出用電極と対向する対向電極パターンが形成され、前記各加速度検出用電極と前記対向電極パターンとの間の部分が分極処理されている圧電セラミックス基板と、 表面に前記圧電セラミックス基板の前記裏面が接合されたダイアフラムと、 前記ダイアフラムの中央部に設けられた重錘と、 前記重錘に前記加速度が作用したときに前記重錘の周囲にある前記圧電セラミックス基板の部分に撓みが生じるように前記ダイアフラムを支持するべースとを具備し、 前記圧電セラミックス基板は、前記重錘と対向する重錘対向領域と、前記ベースと対向するベース対向領域と、前記重錘対向領域と前記ベース対向領域の間に位置し前記各加速度検出用電極が配置される環状の応力発生領域とを有しており、 前記X軸接続線、前記Y軸接続線及び前記Z軸接続線と前記圧電セラミックス基板との間に、前記圧電セラミックス基板の比誘電率よりも比誘電率が小さい低誘電率層が形成されている圧電型三軸加速度センサであって、 前記応力発生領域に位置する前記各接続線の部分と前記圧電セラミックス基板との間には、前記低誘電率層は形成されておらず、 前記対向電極パターンは、前記各加速度検出用電極により形成される電極群の輪郭に沿う形状を有していることを特徴とする圧電型三軸加速度センサ。
IPC (3件):
G01P 15/09 ( 200 6.01) ,  G01P 15/18 ( 200 6.01) ,  H01L 41/08 ( 200 6.01)
FI (3件):
G01P 15/09 D ,  G01P 15/00 K ,  H01L 41/08 Z
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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