特許
J-GLOBAL ID：201103049185140612

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ

発明者：
吐田 真一

吐田 真一 について

, 
高橋 直

高橋 直 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076015
特許番号：特許第4405060号
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ベース層上に第1エミッタ層,第2エミッタ層および第3エミッタ層が順次積層され、上記第1エミッタ層,第2エミッタ層および第3エミッタ層を含むエミッタ層上にエミッタキャップ層が形成されたヘテロ接合型バイポーラトランジスタであって、 上記第1エミッタ層はInGaPからなると共に、上記第2,第3エミッタ層は少なくとも化合物半導体からなり、 上記第2エミッタ層は組成が一定であって、不純物濃度が上記第1エミッタ層および上記第3エミッタ層の不純物濃度よりも高いと共に、 上記第2エミッタ層は、上記第3エミッタ層側から上記第1エミッタ層側に向かって不純物濃度が徐々に高くなる傾斜濃度層であることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 29/72 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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