特許
J-GLOBAL ID：201103049242735849

面発光型半導体レーザ及びレーザアレイ

発明者：
植木 伸明

植木 伸明 について

, 
中村 毅

中村 毅 について

, 
村上 朱実

村上 朱実 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168461
特許番号：特許第4010095号
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の主面に、活性層を挟んで上下の反射膜が形成され、該上下の反射膜の少なくとも一方に、その周縁部が酸化された選択酸化層を備えた面発光型半導体レーザにおいて、 前記半導体基板の主面は、結晶学的に(100)面と等価な結晶面方位を有する面に対し、[100]方向を基準として、[110]方向に-5°から+5°の範囲の角度で傾斜しており、 前記活性層がGaAs/AlGaAs系半導体で構成され、 前記半導体基板の主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して、前記選択酸化層を形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01) ,  H01S 5/42 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/42
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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