特許
J-GLOBAL ID：201103050065327857

キャパシタ及び半導体装置

発明者：
牧山 剛三

牧山 剛三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-065040
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199062
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】高い絶縁破壊耐圧のMIMキャパシタを提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された下部電極12と、前記下部電極上に形成された第1の絶縁体膜13と、前記第1の絶縁体膜上に形成される第2の絶縁体膜14と、前記第2の絶縁体膜上に形成される第3の絶縁体膜15と、前記第3の絶縁体膜上に形成される上部電極16と、を有し、前記第1の絶縁体膜における密度は、前記第2の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第3の絶縁体膜における密度は、前記第2の絶縁体膜における密度よりも高いことを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成された第1の絶縁体膜と、 前記第1の絶縁体膜上に形成される第2の絶縁体膜と、 前記第2の絶縁体膜上に形成される第3の絶縁体膜と、 前記第3の絶縁体膜上に形成される上部電極と、 を有し、前記第1の絶縁体膜における密度は、前記第2の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第3の絶縁体膜における密度は、前記第2の絶縁体膜における密度よりも高いことを特徴とするキャパシタ。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42
FI (4件)：
H01L27/04 C ,  H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 M
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA18 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BA11 ,  5F058BB01 ,  5F058BB05 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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