特許

J-GLOBAL ID：201103050964530093

導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器

発明者： 山田 直臣 ,  廣瀬 靖 ,  長谷川 哲也 ,  平 健治 ,  柴田 竜雄 ,  佐々木 高義
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205911
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060447
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】低抵抗化を実現可能な導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、Ca2Nb3O10からなるシード層と、前記シード層上に設けられ、Nbがドープされたアナターゼ型構造の二酸化チタンの結晶を含む導電層とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に設けられ、二酸化チタンの格子定数に近似する格子定数を有する材料を含むシード層と、 前記シード層上に設けられ、Nbがドープされた二酸化チタンのアナターゼ型構造の結晶を含む導電層と を備えることを特徴とする導電体基板。

IPC (2件)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B

Fターム (5件)：

5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 透明導電性基板およびその製造方法ならびに光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-176099   出願人：日本板硝子株式会社
• 導電体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-059077   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー, 旭硝子株式会社
• 結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-230370   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-077252   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー