特許
J-GLOBAL ID：201103051029139471

半導体装置の製造方法

発明者：
村上 紀子

村上 紀子 について


出願人/特許権者：
OKIセミコンダクタ株式会社

OKIセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268834
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093869
特許番号：特許第4343347号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の製造方法において: 半導体ウェハの主面に配線を形成する工程と; 前記配線と実質的に同じ高さまで前記半導体ウェハの主面を樹脂で覆う工程と; 前記樹脂表面から前記半導体ウェハの所定の深さまで達する溝を形成する工程と; 前記配線と電気的に接続するバンプ電極を形成する工程と; 前記半導体ウェハの主面側に研削テープを貼付する工程と; 前記研削テープが貼付された前記半導体ウェハの前記主面を研削ステージに固定する工程と、 前記研削ステージに固定された前記半導体ウェハの裏面を前記溝の底部に達するまで研削して前記半導体ウェハを個々の半導体装置に個片化する工程と; を含み, 前記研削テープは,少なくともその一部が前記樹脂表面に密着しており、前記半導体ウェハの主面の前記バンプ電極が形成される領域に対応して前記研削テープの厚さ方向に貫通し、前記バンプ電極が嵌る穴が形成されていることを特徴とする,半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
  • 特開平2-028924

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