シリコン基板の粗面化法及びそれを用いた太陽電池の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017725
特許番号：特許第4412872号
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の表面を開口部が多数形成されたプレート部材で覆蓋して、前記シリコン基板から気化したシリコン化合物を前記プレート部材と前記シリコン基板との間に閉じ込めつつドライエッチングを行うことを特徴とするシリコン基板の粗面化法。

IPC (2件)：