特許
J-GLOBAL ID：201103051564047993

原子層堆積方法および原子層堆積装置

発明者：
服部 望

服部 望 について


出願人/特許権者：
三井造船株式会社

三井造船株式会社 について


代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-064222
公開番号（公開出願番号）：特開2011-195900
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、 基板が配置され、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する第1ステップと、 原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる第2ステップと、 前記第1ステップと前記第2ステップを繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する第3ステップと、を有し、 前記第1ステップおよび前記第2ステップの繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的に前記プラズマ生成素子への供給電力を増加させる、ことを特徴とする原子層堆積方法。
IPC (5件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
C23C16/44 A ,  H01L21/31 C ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (62件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC23 ,  3K107CC25 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107EE46 ,  3K107EE48 ,  3K107FF00 ,  3K107GG03 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA01 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030LA01 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB11 ,  5F045BB17 ,  5F045CA09 ,  5F045CB04 ,  5F045DC65 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE19 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F058BA04 ,  5F058BA07 ,  5F058BA10 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39
引用特許：
審査官引用 (4件)
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