特許
J-GLOBAL ID：201103051648130454

電気光学装置の製造方法並びに半導体基板及び電気光学装置

発明者：
村井 一郎

村井 一郎 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349060
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166701
特許番号：特許第3799915号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表示領域に配置され、半導体層と、前記半導体層にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極を含む走査線を有する薄膜トランジスタと、 前記表示領域の周辺に位置する前記走査線と重なり、前記薄膜トランジスタの前記半導体層と同一材料で形成され、前記ゲート絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記走査線と電気的に接続される半導体パターンと、 を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G09F 9/00 346 D ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/78 623 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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