半導体装置及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-160035
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044699
出願日： 2010年07月14日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。【解決手段】同一基板上に画素と駆動回路が設けられ、駆動回路の第1の薄膜トランジスタ及び画素の第2の薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層と、を有し、第2の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、及び酸化物絶縁層は透光性を有し、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する駆動回路と第2の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層と、を有し、前記第2の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物絶縁層は透光性を有し、前記第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、前記第2の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と材料が異なり、前記第2の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , G09F 9/30

FI (10件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/78 617N , H01L29/78 616U , H01L29/78 618A , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , G09F9/30 338

Fターム (98件)：

3K107AA01 , 3K107AA07 , 3K107AA08 , 3K107AA09 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107CC41 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107EE59 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA13 , 5C094AA21 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE23 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110EE37 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK26 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236993 出願人：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-159131 出願人：三洋電機株式会社
電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-142420 出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社

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