るつぼに含まれた融液からシリコンから成る単結晶を引き上げる方法、及びこの方法によって製造された単結晶

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：久野琢也 , 矢野敏雄 , 高橋佳大 , 星公弘 , 二宮浩康 , 篠良一 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-027709
公開番号（公開出願番号）：特開2011-162436
出願日： 2011年02月10日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。【解決手段】シリコンから成る単結晶9をるつぼ4に含まれた融液11から引き上げる方法において、引上げの間単結晶9は熱シールド2によって包囲されており、熱シールドの下端部3は融液の表面から所定の距離hに位置しており、ガス流10が、単結晶9と熱シールド2との間の領域を下方へ、熱シールド2の下端部3と融液11との間を外方へ、次いで熱シールド2の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部3における熱シールド2の内径DHSが単結晶9の直径DSCよりも少なくとも55mmだけ大きく、下端部3における熱シールド2の半径方向幅BHSUが単結晶9の直径DSCの20%以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコンから成る単結晶(9)をるつぼ(4)に含まれた融液(11)から引き上げる方法において、引上げの間単結晶(9)は熱シールド(2)によって包囲されており、該熱シールドの下端部(3)は融液(11)の表面から所定の距離(h)に位置しており、ガス(10)が、単結晶(9)と熱シールド(2)との間の領域を下方へ、熱シールド(2)の下端部(3)と融液(11)との間を外方へ、次いで熱シールド(2)の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部(3)における熱シールド(2)の内径(DHS)が単結晶(9)の直径(DSC)よりも少なくとも55mmだけ大きく、下端部(3)における熱シールド(2)の半径方向幅(BHSU)が単結晶(9)の直径(DSC)の20%以下であることを特徴とする、シリコンから成る単結晶(9)をるつぼ(4)に含まれた融液(11)から引き上げる方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 15/00

FI (2件)：

C30B29/06 502C , C30B15/00 Z

Fターム (26件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB09 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077EG02 , 4G077EG19 , 4G077EG24 , 4G077EH06 , 4G077EH08 , 4G077HA12 , 4G077PA04 , 4G077PA06 , 4G077PA16 , 4G077PB05 , 4G077PB14 , 4G077PD01 , 4G077PD05 , 4G077PF09 , 4G077PF13 , 4G077PG01

引用特許：

審査官引用 (5件)

単結晶の引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012668 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-046347 出願人：住友金属工業株式会社
石英ガラスルツボ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-356391 出願人：ジャパンスーパークォーツ株式会社, 株式会社SUMCO

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