特許
J-GLOBAL ID：201103052229831929

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
亀井 輝彦

亀井 輝彦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115677
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313964
特許番号：特許第3780865号
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】1つのワードゲートと、第1,第2のコントロールゲートにより制御される第1,第2の不揮発性メモリ素子とを有するメモリセルを、列方向及び行方向にそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域と、 前記メモリセルアレイ領域内の前記複数のメモリセルの各々の前記第1,第2のコントロールゲートを駆動するコントロールゲート駆動部と、 を有し、 前記メモリセルアレイ領域は、前記行方向で分割された複数のセクタ領域を有し、 前記コントロールゲート駆動部は、前記複数のセクタ領域の各一つにそれぞれ対応する複数のコントロールゲートドライバを有し、前記複数のコントロールゲートドライバの各々は、対応する一つのセクタ領域内の前記第1,第2のコントロールゲートの電位を、他のセクタ領域とは独立して設定可能であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 623 Z ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 633 B ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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