特許

J-GLOBAL ID：201103052887999310

不揮発性メモリ素子を有する装置

発明者： 加藤 清 ,  家田 義紀 ,  小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-250711
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124563
出願日： 2010年11月09日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

【課題】新たな不揮発性メモリ素子を有する装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ素子を有する装置を提供するものであり、制御ゲートと、第1の絶縁膜を介して制御ゲートと重ねて設けられた電荷蓄積層と、酸化物半導体材料を用いて形成され、第2の絶縁膜を介して電荷蓄積層と重ねて設けられたチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、によって不揮発性メモリ素子が構成されるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

制御ゲートと、 前記制御ゲートに重ねて設けられた、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、 前記制御ゲートと前記酸化物半導体層との間に設けられた電荷蓄積層と、 を有する ことを特徴とする不揮発性メモリ素子を有する装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (49件)：

5F083EP13 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA02 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA46 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BD12 ,  5F101BD22 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-178301   出願人：カシオ計算機株式会社
• 逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-189006   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-042587   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-167699   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所