短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタおよび短絡チャネルを有する炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 林鉐三 , 清水邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207011
公開番号（公開出願番号）：特開2011-254119
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：

【課題】高電流、高電圧、低オン抵抗の垂直SiCパワーMOSFETを作製することは、少なくとも部分的には、反転層における電子の表面移動度が不十分であるために、これまで実現不可能であった。【解決手段】炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)および炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。炭化ケイ素MOSFETは、n型炭化ケイ素ドリフト層と、n型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたp型炭化ケイ素領域であって、内部にn型炭化ケイ素領域を有するp型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。またMOSFETは、n型炭化ケイ素領域のそれぞれからp型炭化ケイ素領域を通ってn型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルを有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層内にあり、n型炭化ケイ素領域を有する離間されたp型炭化ケイ素領域と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の窒化酸化物層とを有する二重注入炭化ケイ素MOSFETと、前記n型炭化ケイ素領域のそれぞれから前記p型炭化ケイ素領域を通って前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルとを備え、前記n型短絡チャネルは、前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びている一方、当該n型炭化ケイ素ドリフト層の内部には延びておらず、前記n型短絡チャネルは、前記n型短絡チャネル間に配置された領域に存在するより高いn型不純物濃度を有し、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3〜約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J , H01L29/78 658E

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-067520 出願人：沖電気工業株式会社
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-140681 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077876 出願人：株式会社デンソー

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