特許
J-GLOBAL ID:201103053569685850
変位センサとその製造方法および位置決めステージ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-331941
公開番号(公開出願番号):特開2003-139504
特許番号:特許第3913526号
出願日: 2001年10月30日
公開日(公表日): 2003年05月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】 略矩形の絶縁基板の一方の表面の所定位置に電極が設けられてなる歪みゲージと、
前記絶縁基板をその長手方向の両端で支持する支持部材と、
前記絶縁基板の略中央部に固着され、前記支持部材との間で相対的な位置の変化が生じた際に前記絶縁基板を歪ませるヘッド部材と、
を具備し、
前記電極は、薄膜形成されてなり、前記支持部材と前記ヘッド部材との間での相対的な位置の変化によって前記絶縁基板に歪みが生じた際に、前記絶縁基板において正の歪みが生じる2箇所の部位と負の歪みが生じる2箇所の部位にそれぞれ設けられ、
前記絶縁基板には前記電極をブリッジ接続するための接続用導体が形成され、かつ、前記接続用導体と導通して外部の入出力回路との導通を行うブリッジ入力用ターミナルおよびブリッジ出力用ターミナルが前記絶縁基板の長手方向を略4等分する位置に設けられていることを特徴とする変位センサ。
IPC (2件):
G01B 7/00 ( 200 6.01)
, G01L 1/22 ( 200 6.01)
FI (3件):
G01B 7/00 101 R
, G01L 1/22 F
, G01L 1/22 M
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開昭62-226029
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特開平3-051792
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金属薄膜抵抗ひずみゲージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-058737
出願人:多摩電気工業株式会社, 財団法人電気磁気材料研究所
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ロードセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-031370
出願人:株式会社イシダ
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精密位置決め制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-074015
出願人:秩父小野田株式会社
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特開昭62-226029
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特開平3-051792
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Cr-N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-108039
出願人:財団法人電気磁気材料研究所
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感温感歪複合センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-074937
出願人:財団法人電気磁気材料研究所
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