特許
J-GLOBAL ID：200903062991477870
Cr-N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108039
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270201
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は、CrおよびNと所要の副成分からなり、ゲージ率が2以上で、且つ抵抗温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であるCr-N基歪抵抗膜およびその製造法を提供するにある。また、前記歪抵抗膜よりなる歪センサを提供するにある。【構成】一般式Cr100-x-yNxMyで表され、MはTi、V、Nb、Ta、Ni、Zr、Hf、Si、Ge、C、0、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Alおよび希土類元素から選択される1種または2種以上の元素であり、組成造x、yは原子%で0.0001≦x≦30、0≦y≦30、0.0001≦x+y≦50なる関係を有し、結晶構造が主としてbcc構造または主としてbcc構造とA15型構造との混合組織からなり、ゲージ率が2以上で、且つ電気抵抗の温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であることを特徴とするCr-N基歪抵抗膜。
請求項（抜粋）：
一般式Cr100-x-yNxMyで表され、MはTi、V、Nb、Ta、Ni、Zr、Hf、Si、Ge、C、O、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Alおよび希土類元素から選択される1種または2種以上の元素であり、組成比x、yは原子%で0.0001≦x≦30、0≦y≦30、0.0001≦x+y≦50なる関係を有し、結晶構造が主としてbcc構造または主としてbcc構造とA15型構造との混合組織からなり、ゲージ率が2以上で、且つ電気抵抗の温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であることを特徴とするCr-N基歪抵抗膜。
IPC (3件)：
H01C 7/00
, G01B 7/16
, H01C 17/00
H01C 7/00 D
, G01B 7/16
, H01C 17/00 A
