セラミック配線基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134782
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323622
特許番号：特許第3645744号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基体と、該絶縁基体内に形成され、一端が絶縁基体の表面に露出し、露出面に半導体素子の電極が電気的接続手段を介して接続される貫通導体層とから成るセラミック配線基板であって、前記絶縁基体はムライト質焼結体から成り、かつ前記貫通導体層はモリブデンを主成分とする金属材で形成されているとともに、露出面がタングステンから成る、断面形状が中央部が厚く周辺部が薄い被覆層で被覆されていることを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (4件)：