半導体基板への薄膜成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274102
特許番号：特許第3549188号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応チャンバと、サセプタを有するプラズマCVD処理装置を使って、半導体基板上に絶縁薄膜を成膜する方法において、セラミック製のサセプタを用意する工程と、前記サセプタ上に前記サセプタより電気抵抗率が10-5倍以下である物質から成る表面層を形成する前処理工程を含み、前記表面層によって前記半導体基板と前記サセプタとの静電吸着が無くなることを特徴とする方法。

IPC (3件)：