特許
J-GLOBAL ID：201103054843637252

電子銃の製造方法

発明者：
新井 学

新井 学 について

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小野 修一

小野 修一 について

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玉井 秀昭

玉井 秀昭 について

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木村 親夫

木村 親夫 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167691
特許番号：特許第3905272号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性基体上に、下層導電体を形成する工程と、 該下層導電体上に、導電性のシリコン膜を形成する工程と、 該シリコン膜上にパターニングされた窒化膜を形成する工程と、 該窒化膜をマスクとして使用して、露出する前記シリコン膜を酸化し、シリコン酸化物を形成する工程と、 前記窒化膜を除去し、前記シリコン膜表面を露出させ、前記シリコン酸化物で区画されたシリコン領域を形成する工程と、 プラズマ雰囲気中で前記下層導電体と、前記シリコン領域に対向して設置された電極間にバイアス電圧を印加し、前記シリコン酸化物で区画された前記シリコン領域に電流を流すことによって、該シリコン領域上にダイヤモンド結晶を析出させる工程と、 該析出したダイヤモンド結晶を成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程と、 該ダイヤモンド膜に対向する上層導電体を形成する工程と、 前記ダイヤモンド膜電子を放射させるために前記下層導電体及び前記上層導電体間に電圧を印加する手段を形成する工程とを備えたことを特徴とする電子銃の製造方法。
IPC (5件)：
H01J 9/02 ( 200 6.01) ,  H01J 29/04 ( 200 6.01) ,  H01J 31/12 ( 200 6.01) ,  H01J 1/304 ( 200 6.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F ,  C23C 16/27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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