特許

J-GLOBAL ID：201103055827332898

化学機械研磨装置及び半導体ウエハを研磨する方法

発明者： カール・イー・ボッグス ,  ケネス・エム・デイヴィス ,  ウィリアム・エフ・ランダース ,  マイケル・エフ・ロファロ ,  アダム・ディー・ティックノア ,  ロナルド・ディー・フィージー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127025
特許番号：特許第3490387号
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハを研磨し、該半導体ウエハのためのキャリアを有する化学機械研磨装置であって、前記キャリアは、キャリア・ベースと、該キャリア・ベースに取り付けられ、前記半導体ウエハを保持するウエハ保持リングと、該ウエハ保持リングに囲まれるように前記キャリア・ベースに取り付けられ、前記半導体ウエハにわたる圧力変化を検出し、前記半導体ウエハにわたって制御された圧力分布を与えるように個々に制御可能である複数個の圧電アクチュエータと、前記化学機械研磨装置を制御する制御手段とを備え、該制御手段が、ノッチ位置アルゴリズムを始動して、最外周に設けられた圧電アクチュエータを作動させて応答圧力を読み取ることにより前記半導体ウエハのノッチの位置による前記半導体ウエハの方向を決定し、前記半導体ウエハの方向と、ダイ・レイアウト、サイズ及びパターン密度を含むウエハ・マップとに応答して、前記半導体ウエハに亘る圧力分布を変更するように前記圧電アクチュエータを制御することを特徴とする化学機械研磨装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (5件)：

H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/04 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061716   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290187   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272078   出願人：日本電気株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066720   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061716   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290187   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272078   出願人：日本電気株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066720   出願人：株式会社東芝