半導体薄膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028440
特許番号：特許第3491571号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板表面上に半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜上の光マスクに形成したパターンを前記半導体薄膜に投影露光して、前記半導体薄膜の露光された所定の領域を改質することにより、投影露光による改質を経た領域と投影露光による改質を経ない領域を形成すると共に、前記投影露光による改質を経た領域と光学的な色が異なる光照射を経ない領域との色差を用いて前記半導体薄膜にアライメントマークを形成する工程と、前記半導体薄膜上に絶縁膜を連続的に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：